창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20AM10STG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM20AM10STG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 87.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 224nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20AM10STG | |
| 관련 링크 | APTM20A, APTM20AM10STG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | ASTMK-4.096KHZ-LQ-AA3-H-T3 | 4.096kHz NanoDrive™ MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.5 V ~ 3.63 V 1.4µA | ASTMK-4.096KHZ-LQ-AA3-H-T3.pdf | |
![]() | HSCDRRN600MD2B3 | Pressure Sensor ±8.7 PSI (±60 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN600MD2B3.pdf | |
![]() | TL7770-5Q | TL7770-5Q ORIGINAL TI | TL7770-5Q.pdf | |
![]() | 382T/1A | 382T/1A WICKMANN SMD or Through Hole | 382T/1A.pdf | |
![]() | M28W320CT-70 | M28W320CT-70 ST BGA | M28W320CT-70.pdf | |
![]() | C1608CH2A681J | C1608CH2A681J TDK SMD or Through Hole | C1608CH2A681J.pdf | |
![]() | 0805 104K 25V | 0805 104K 25V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 104K 25V.pdf | |
![]() | MBR20100CT-010 | MBR20100CT-010 IR TO-220 | MBR20100CT-010.pdf | |
![]() | ICE3B0365R | ICE3B0365R ORIGINAL SMD or Through Hole | ICE3B0365R.pdf | |
![]() | APWS0165 | APWS0165 ORIGINAL TO-263 | APWS0165.pdf | |
![]() | 1NB7-8353 | 1NB7-8353 HP NA | 1NB7-8353.pdf |