창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM120TDU57PG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM120TDU57PG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 684m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 187nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5155pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6-P | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM120TDU57PG | |
| 관련 링크 | APTM120T, APTM120TDU57PG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | ES1C-M3 | ES1C-M3 COMCHIP DO-214AC | ES1C-M3.pdf | |
![]() | MB624418UPF-G-BND-BK | MB624418UPF-G-BND-BK FUJITSU QFP | MB624418UPF-G-BND-BK.pdf | |
![]() | C1403CA | C1403CA NEC DIP | C1403CA.pdf | |
![]() | ATC100B1R6BW500XT | ATC100B1R6BW500XT ATC SMD or Through Hole | ATC100B1R6BW500XT.pdf | |
![]() | HYB25DC512800CF-5 | HYB25DC512800CF-5 HYNIX SMD or Through Hole | HYB25DC512800CF-5.pdf | |
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