Microsemi Corporation APTM120H29FG
- 제조업체 부품 번호
- APTM120H29FG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
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APTM120H29FG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM120H29FG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM120H29FG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 348m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 374nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM120H29FGMI APTM120H29FGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM120H29FG | |
| 관련 링크 | APTM120, APTM120H29FG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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