창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM120H29FG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM120H29FG Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 348m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 374nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 780W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APTM120H29FGMI APTM120H29FGMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM120H29FG | |
관련 링크 | APTM120, APTM120H29FG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | IPA60R450E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 | IPA60R450E6XKSA1.pdf | |
![]() | JS1-B-9V-F | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 9VDC Coil Through Hole | JS1-B-9V-F.pdf | |
![]() | CRCW12062M26FKEA | RES SMD 2.26M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062M26FKEA.pdf | |
![]() | AT0402BRD072K21L | RES SMD 2.21KOHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD072K21L.pdf | |
![]() | LPS5015-105MLC | LPS5015-105MLC COILCRAFT SMD | LPS5015-105MLC.pdf | |
![]() | MAX4372FESA+ | MAX4372FESA+ MAX SOP-8 | MAX4372FESA+.pdf | |
![]() | UPD65949GD038LML | UPD65949GD038LML NEC SMD or Through Hole | UPD65949GD038LML.pdf | |
![]() | NC4ED-L2-DC100V | NC4ED-L2-DC100V PANASONIC SMD or Through Hole | NC4ED-L2-DC100V.pdf | |
![]() | SO3B2150N2 | SO3B2150N2 ORIGINAL SMD or Through Hole | SO3B2150N2.pdf | |
![]() | QAN012 | QAN012 SAMSUNG TSSOP30 | QAN012.pdf | |
![]() | 9325GBC | 9325GBC ORIGINAL DIP | 9325GBC.pdf |