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Microsemi Corporation APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G
제조업체 부품 번호
APTM120DSK57T3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
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내부 부품 번호EIS-APTM120DSK57T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM120DSK57T3G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A
Rds On(최대) @ Id, Vgs684m옴 @ 8.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs187nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5155pF @ 25V
전력 - 최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP3
공급 장치 패키지SP3
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM120DSK57T3G
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