창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM10DHM05G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM10DHM05G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 278A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 125A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 700nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM10DHM05G | |
| 관련 링크 | APTM10D, APTM10DHM05G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MS46SR-14-700-Q2-10X-10R-NO-FP | SYSTEM | MS46SR-14-700-Q2-10X-10R-NO-FP.pdf | |
![]() | 6876.3VE | 6876.3VE avetron 2011 | 6876.3VE.pdf | |
![]() | 2SC3789-E | 2SC3789-E SANYO TO-126 | 2SC3789-E.pdf | |
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![]() | STB8NM60NT4-TR | STB8NM60NT4-TR ST TO-263 | STB8NM60NT4-TR.pdf | |
![]() | UCD9240RGC | UCD9240RGC TI QFN | UCD9240RGC.pdf | |
![]() | 1008HC-182EJFS | 1008HC-182EJFS ACCEPTED 3225-182 | 1008HC-182EJFS.pdf | |
![]() | AOI452L | AOI452L AO NA | AOI452L.pdf | |
![]() | C052K220M2X5CA | C052K220M2X5CA KEMET DIP | C052K220M2X5CA.pdf | |
![]() | XC88110RS50E 72E66S | XC88110RS50E 72E66S MOTOROLA BGA | XC88110RS50E 72E66S.pdf | |
![]() | 2SB817P/E | 2SB817P/E SANYO TO-3P | 2SB817P/E.pdf | |
![]() | P10NK70ZP | P10NK70ZP ST TO-220 | P10NK70ZP.pdf |