창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM10DDAM19T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM10DDAM19T3G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 208W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM10DDAM19T3G | |
관련 링크 | APTM10DDA, APTM10DDAM19T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CDBU43 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603 | CDBU43.pdf | |
![]() | CRCW040214R7FKEDHP | RES SMD 14.7 OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW040214R7FKEDHP.pdf | |
![]() | RT0603CRE07267KL | RES SMD 267KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE07267KL.pdf | |
![]() | 49SMLB25.0000-16GGC-E(T) | 49SMLB25.0000-16GGC-E(T) PERICOM ROHS | 49SMLB25.0000-16GGC-E(T).pdf | |
![]() | BTA04-600L | BTA04-600L ST TO-220 | BTA04-600L.pdf | |
![]() | LD1085V18 06+ | LD1085V18 06+ ST TO-220 | LD1085V18 06+.pdf | |
![]() | G5A-234P-DC12 | G5A-234P-DC12 ORIGINAL SMD or Through Hole | G5A-234P-DC12.pdf | |
![]() | 44.128MHZ | 44.128MHZ ORIGINAL SMD | 44.128MHZ.pdf | |
![]() | 1117M3.3 | 1117M3.3 ORIGINAL TO263 | 1117M3.3.pdf | |
![]() | 2BB3-0005SM | 2BB3-0005SM AGILENT BGA-217 | 2BB3-0005SM.pdf | |
![]() | MBRS360T3G/0N | MBRS360T3G/0N ON SMC | MBRS360T3G/0N.pdf | |
![]() | ECJZEB0J682K | ECJZEB0J682K PANASONIC SMD or Through Hole | ECJZEB0J682K.pdf |