창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100UM65SAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM100UM65SAG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 72.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 20mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1068nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM100UM65SAGMI APTM100UM65SAGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100UM65SAG | |
| 관련 링크 | APTM100U, APTM100UM65SAG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | US1JFL-TP | DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC | US1JFL-TP.pdf | |
![]() | RN73C1J11RBTG | RES SMD 11 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J11RBTG.pdf | |
![]() | HX8309 | HX8309 HIMAX COG | HX8309.pdf | |
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![]() | BLA31BD471SN4L | BLA31BD471SN4L MURATA SMD or Through Hole | BLA31BD471SN4L.pdf | |
![]() | RN73H2ETD2701F | RN73H2ETD2701F KOA SMD | RN73H2ETD2701F.pdf | |
![]() | BS616LV1623TI-70 | BS616LV1623TI-70 BSI TSOP | BS616LV1623TI-70.pdf | |
![]() | SG0285-AL | SG0285-AL Coilcraft SMD or Through Hole | SG0285-AL.pdf | |
![]() | AN8140 | AN8140 Panasonic DIP | AN8140.pdf | |
![]() | SI4684DY-T1-E3(p/b) | SI4684DY-T1-E3(p/b) VISHAY SOP 3.9 8P | SI4684DY-T1-E3(p/b).pdf | |
![]() | B45396R7226M509 | B45396R7226M509 KEMET SMD or Through Hole | B45396R7226M509.pdf | |
![]() | GRM0335C1H1R5CD01B | GRM0335C1H1R5CD01B muRata SMD or Through Hole | GRM0335C1H1R5CD01B.pdf |