창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100DDA35T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM100DDA35T3G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100DDA35T3G | |
| 관련 링크 | APTM100DD, APTM100DDA35T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | W2A4YC183KAT2F | 0.018µF Isolated Capacitor 4 Array 16V X7R 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A4YC183KAT2F.pdf | |
![]() | 0451.080NRL | FUSE BOARD MOUNT 80MA 125VAC/VDC | 0451.080NRL.pdf | |
![]() | VCT3834A C4. | VCT3834A C4. MICRONAS DIP64 | VCT3834A C4..pdf | |
![]() | KTY82/222,215 | KTY82/222,215 NXPSEMI SMD or Through Hole | KTY82/222,215.pdf | |
![]() | 545480771 | 545480771 molex Connector | 545480771.pdf | |
![]() | 50T93YA2K2 | 50T93YA2K2 VISHAY SMD or Through Hole | 50T93YA2K2.pdf | |
![]() | 1210B332J500CT | 1210B332J500CT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210B332J500CT.pdf | |
![]() | C4532X7R1C106M | C4532X7R1C106M TDK SMD or Through Hole | C4532X7R1C106M.pdf | |
![]() | 33UF6.3V10%(T+R) | 33UF6.3V10%(T+R) AVX C | 33UF6.3V10%(T+R).pdf | |
![]() | L5500559B | L5500559B INTEL PLCC-44P | L5500559B.pdf | |
![]() | MAX4987AETAT | MAX4987AETAT MAXIM SMD or Through Hole | MAX4987AETAT.pdf | |
![]() | 290-7.5K-RC | 290-7.5K-RC XIC SMD or Through Hole | 290-7.5K-RC.pdf |