창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM100DAM90G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM100DAM90G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 78A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 39A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 744nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1250W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM100DAM90G | |
관련 링크 | APTM100, APTM100DAM90G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ASTMHTFL-125.000MHZ-ZK-E | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-125.000MHZ-ZK-E.pdf | |
![]() | PNP300JR-73-2R7 | RES 2.7 OHM 3W 5% AXIAL | PNP300JR-73-2R7.pdf | |
![]() | HFL0805C-12NJ-T | HFL0805C-12NJ-T ORIGINAL 0805-12N | HFL0805C-12NJ-T.pdf | |
![]() | LS250-3.5-6P | LS250-3.5-6P ORIGINAL SMD or Through Hole | LS250-3.5-6P .pdf | |
![]() | 10206-501 | 10206-501 CHRONTEL PLCC-44 | 10206-501.pdf | |
![]() | 27.000 Mhz | 27.000 Mhz FQX SMD or Through Hole | 27.000 Mhz.pdf | |
![]() | WSN-2-80R-1%-RX | WSN-2-80R-1%-RX ORIGINAL SMD or Through Hole | WSN-2-80R-1%-RX.pdf | |
![]() | LT1117-1.8 | LT1117-1.8 BB SOT-223 | LT1117-1.8.pdf | |
![]() | VSP2245 | VSP2245 TI QFP | VSP2245.pdf | |
![]() | NB12Q00224JBB | NB12Q00224JBB AVX SMD | NB12Q00224JBB.pdf | |
![]() | MT3S35T/TE85L.F | MT3S35T/TE85L.F TOSHIBA SMD or Through Hole | MT3S35T/TE85L.F.pdf | |
![]() | 74HC7030E | 74HC7030E HAR DIP28 | 74HC7030E.pdf |