창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100DA33T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM100DA33T1G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 396m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 305nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7868pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100DA33T1G | |
| 관련 링크 | APTM100D, APTM100DA33T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | MKT1813610016M | 10µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Axial 0.650" Dia x 1.240" L (16.50mm x 31.50mm) | MKT1813610016M.pdf | |
|  | TF252TH-5-TL-H | JFET N-CH 0.1W 3VTFP | TF252TH-5-TL-H.pdf | |
| .jpg) | RCS060315R0JNEA | RES SMD 15 OHM 5% 1/4W 0603 | RCS060315R0JNEA.pdf | |
|  | 742C163512JP | RES ARRAY 8 RES 5.1K OHM 2506 | 742C163512JP.pdf | |
|  | CS3FR050E | RES 0.05 OHM 3W 1% 4SIP | CS3FR050E.pdf | |
|  | CMF5539R200FEEK | RES 39.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5539R200FEEK.pdf | |
|  | 407524511 | 407524511 OTHER SMD or Through Hole | 407524511.pdf | |
|  | KPBA-3010YSGC-PRV-CC-PF | KPBA-3010YSGC-PRV-CC-PF KINGBRIGHT SMD or Through Hole | KPBA-3010YSGC-PRV-CC-PF.pdf | |
|  | 222258016645/223891015745 | 222258016645/223891015745 PHYCOMP SMD or Through Hole | 222258016645/223891015745.pdf | |
|  | W27C02 | W27C02 ORIGINAL SMD or Through Hole | W27C02.pdf | |
|  | 74ALS04BDR | 74ALS04BDR TI SOP | 74ALS04BDR.pdf | |
|  | EC24-0.22uH | EC24-0.22uH LGA SMD or Through Hole | EC24-0.22uH.pdf |