창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM100A40FT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM100A40FT1G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 305nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7868pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM100A40FT1G | |
관련 링크 | APTM100A, APTM100A40FT1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ESD9L3.3ST5G | TVS DIODE 3.3VWM 9VC SOD923 | ESD9L3.3ST5G.pdf | |
![]() | RMCF1206FG8K25 | RES SMD 8.25K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG8K25.pdf | |
![]() | LTR18EZPJ431 | RES SMD 430 OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPJ431.pdf | |
![]() | HSMCJ17A | HSMCJ17A Microsemi DO-214AB | HSMCJ17A.pdf | |
![]() | MC145O41P | MC145O41P MOTOROLA DIP | MC145O41P.pdf | |
![]() | 55L256L32P | 55L256L32P ORIGINAL QFP | 55L256L32P.pdf | |
![]() | AT27C010150DC | AT27C010150DC ATMEL SMD or Through Hole | AT27C010150DC.pdf | |
![]() | 2N327 | 2N327 MOT CAN | 2N327.pdf | |
![]() | SR20-48 | SR20-48 TDK-LAMBDA SMD or Through Hole | SR20-48.pdf | |
![]() | RFVG | RFVG MICROCHIP SOT25 | RFVG.pdf | |
![]() | TRV-3D-SC-CD-N | TRV-3D-SC-CD-N TTI SMD or Through Hole | TRV-3D-SC-CD-N.pdf |