창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100A18FTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM100A18FTG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 21.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 372nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100A18FTG | |
| 관련 링크 | APTM100, APTM100A18FTG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MA-505 12.0000M-H0: ROHS | 12MHz ±50ppm 수정 32pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 12.0000M-H0: ROHS.pdf | |
![]() | RP73D1J22R1BTG | RES SMD 22.1 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J22R1BTG.pdf | |
![]() | 3FT904005AH192 | 3FT904005AH192 PQFP MST | 3FT904005AH192.pdf | |
![]() | LD8086--2 | LD8086--2 INTEL SMD or Through Hole | LD8086--2.pdf | |
![]() | 141-12SMRSM+ | 141-12SMRSM+ MINI SMD or Through Hole | 141-12SMRSM+.pdf | |
![]() | CR6KM12A | CR6KM12A MITSUBISHI TO-220F | CR6KM12A.pdf | |
![]() | LM2788MMX-1.8/NOPB | LM2788MMX-1.8/NOPB NSC SSOP | LM2788MMX-1.8/NOPB.pdf | |
![]() | LTC3565EMSE#PBF/IM | LTC3565EMSE#PBF/IM LT SMD or Through Hole | LTC3565EMSE#PBF/IM.pdf | |
![]() | PL11004-C | PL11004-C ORIGINAL SMD or Through Hole | PL11004-C.pdf | |
![]() | V602ME26 | V602ME26 ZCOMM SMD or Through Hole | V602ME26.pdf |