Microsemi Corporation APTGT50H60RT3G
- 제조업체 부품 번호
- APTGT50H60RT3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- IGBT - 모듈
- 간단한 설명
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
- 데이터 시트 다운로드
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APTGT50H60RT3G 가격 및 조달
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8550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 77,774.07692
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APTGT50H60RT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGT50H60RT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGT50H60RT3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
| 입력 | 단상 브리지 정류기 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGT50H60RT3G | |
| 관련 링크 | APTGT50H, APTGT50H60RT3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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