창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGT450A60G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGT450A60G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 하프브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 550A | |
| 전력 - 최대 | 1750W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 450A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 37nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGT450A60G | |
| 관련 링크 | APTGT45, APTGT450A60G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1825GA681KAT9A | 680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825GA681KAT9A.pdf | |
| FP1008R2-R220-R | 220nH Unshielded Inductor 74A 0.18 mOhm Nonstandard | FP1008R2-R220-R.pdf | ||
![]() | BST62 T/R | BST62 T/R NXP SMD or Through Hole | BST62 T/R.pdf | |
![]() | EDE1116ZCSE-DV-E | EDE1116ZCSE-DV-E NA BGA | EDE1116ZCSE-DV-E.pdf | |
![]() | HMC473MS8 TEL:82766440 | HMC473MS8 TEL:82766440 HITTITE MSOP8 | HMC473MS8 TEL:82766440.pdf | |
![]() | M10-1-471G | M10-1-471G BI SMD or Through Hole | M10-1-471G.pdf | |
![]() | HL22G151MRZPF | HL22G151MRZPF HITACHI DIP | HL22G151MRZPF.pdf | |
![]() | SURD106T4 | SURD106T4 ON TO-252 | SURD106T4.pdf | |
![]() | MRC03EZHJ562 | MRC03EZHJ562 ROHM SMD or Through Hole | MRC03EZHJ562.pdf | |
![]() | LE27C1001F-10Y1 | LE27C1001F-10Y1 SANYO DIP | LE27C1001F-10Y1.pdf | |
![]() | 25YXG820M10X23 | 25YXG820M10X23 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25YXG820M10X23.pdf | |
![]() | 172616-1 | 172616-1 AMP SMD or Through Hole | 172616-1.pdf |