창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT400DA120G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT400DA120G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 단일 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 560A | |
전력 - 최대 | 1785W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 400A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 750µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 28nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT400DA120G | |
관련 링크 | APTGT400, APTGT400DA120G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
405C35E12M28800 | 12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35E12M28800.pdf | ||
CMF65140R00FKBF | RES 140 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65140R00FKBF.pdf | ||
Y1453127R075V9L | RES 127.075 OHM 0.6W 0.005% RAD | Y1453127R075V9L.pdf | ||
S3C80G9B22-SN99 | S3C80G9B22-SN99 SAMSUNG SOP7.2 | S3C80G9B22-SN99.pdf | ||
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VCT49X7FPZE1000 | VCT49X7FPZE1000 MIC SMD or Through Hole | VCT49X7FPZE1000.pdf |