창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGT35A120T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGT35A120T1G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 하프브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 55A | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGT35A120T1G | |
| 관련 링크 | APTGT35A, APTGT35A120T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMA5J30A-M3/61 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO-214AC | SMA5J30A-M3/61.pdf | |
![]() | CIG10F1R0MNC | 1µH Shielded Multilayer Inductor 700mA 300 mOhm 0603 (1608 Metric) | CIG10F1R0MNC.pdf | |
![]() | LZ9FD34 | LZ9FD34 SHARP QFP | LZ9FD34.pdf | |
![]() | CHB1A | CHB1A SITI MSOP-10 | CHB1A.pdf | |
![]() | TRR1A05S00-R-C | TRR1A05S00-R-C TTI SMD or Through Hole | TRR1A05S00-R-C.pdf | |
![]() | PCFW0805LF034323BP | PCFW0805LF034323BP IRC-AFD SMD or Through Hole | PCFW0805LF034323BP.pdf | |
![]() | ALD2301 | ALD2301 AD CDIP8 | ALD2301.pdf | |
![]() | UPD17228MC-120-5A4-E1 | UPD17228MC-120-5A4-E1 NEC SMD | UPD17228MC-120-5A4-E1.pdf | |
![]() | CXD1267AN=D1267AN | CXD1267AN=D1267AN SONY TSSOP | CXD1267AN=D1267AN.pdf | |
![]() | H614G08MB512M | H614G08MB512M ORIGINAL SMD or Through Hole | H614G08MB512M.pdf | |
![]() | NTR06B1001CTR1KF | NTR06B1001CTR1KF ORIGINAL SMD or Through Hole | NTR06B1001CTR1KF.pdf | |
![]() | VCX16838MTDX | VCX16838MTDX FAIRCHILD TSSOP | VCX16838MTDX.pdf |