창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGT30H60T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGT30H60T1G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50A | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGT30H60T1G | |
| 관련 링크 | APTGT30, APTGT30H60T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RS1PJHM3/85A | DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA | RS1PJHM3/85A.pdf | |
![]() | CW02B75R00JE12HE | RES 75 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B75R00JE12HE.pdf | |
![]() | CPCP0562R00JE32 | RES 62 OHM 5W 5% RADIAL | CPCP0562R00JE32.pdf | |
![]() | CAT28F010L-12 | CAT28F010L-12 CSI DIP32 | CAT28F010L-12.pdf | |
![]() | MMSZ5242B-7-01-F | MMSZ5242B-7-01-F DIODES SOD123 | MMSZ5242B-7-01-F.pdf | |
![]() | RF2324 | RF2324 MICRO TSSOP-8 | RF2324.pdf | |
![]() | NANDBAR4N5BZBC5E | NANDBAR4N5BZBC5E NUMONYX BGA | NANDBAR4N5BZBC5E.pdf | |
![]() | CN2B4LTE470J | CN2B4LTE470J KSE SMD or Through Hole | CN2B4LTE470J.pdf | |
![]() | 21CH431J50AT | 21CH431J50AT KYOCERA 0805-431J | 21CH431J50AT.pdf | |
![]() | SL-20W-T | SL-20W-T ORIGINAL SMD or Through Hole | SL-20W-T.pdf | |
![]() | LQW18AN27NG00B | LQW18AN27NG00B TDKMURATATAIYO SMD or Through Hole | LQW18AN27NG00B.pdf | |
![]() | TSE2002GB2A1 | TSE2002GB2A1 IDT Navis | TSE2002GB2A1.pdf |