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Microsemi Corporation APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G
제조업체 부품 번호
APTGT30H170T3G
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 모듈
간단한 설명
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
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APTGT30H170T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTGT30H170T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTGT30H170T3G
Power Products Catalog
PCN 설계/사양SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 모듈
제조업체Microsemi Corporation
계열-
부품 현황유효
IGBT 유형트렌치 필드 스톱
구성풀 브리지 인버터
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)1700V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)45A
전력 - 최대210W
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
전류 - 콜렉터 차단(최대)250µA
입력 정전 용량(Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
입력표준
NTC 서미스터있음
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP3
공급 장치 패키지SP3
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APTGT30H170T3G
관련 링크APTGT30H, APTGT30H170T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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