창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT30A170T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT30A170T1G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 45A | |
전력 - 최대 | 210W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT30A170T1G | |
관련 링크 | APTGT30A, APTGT30A170T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
KM416C254DJ6(PROG) | KM416C254DJ6(PROG) SAMSUNG SMD or Through Hole | KM416C254DJ6(PROG).pdf | ||
MMDF4P03HDR | MMDF4P03HDR MOTOROLA 3.9mm | MMDF4P03HDR.pdf | ||
ERB12-02R | ERB12-02R SANKEN DIP | ERB12-02R.pdf | ||
HD74LS05FPEL | HD74LS05FPEL HITACHI SOP5.2 | HD74LS05FPEL.pdf | ||
IDTQS7201-50P6 | IDTQS7201-50P6 IDT SMD or Through Hole | IDTQS7201-50P6.pdf | ||
MOS-2545-119+ | MOS-2545-119+ Mini-circuits SMD or Through Hole | MOS-2545-119+.pdf | ||
BW160RAGC-3P | BW160RAGC-3P FUJI SMD or Through Hole | BW160RAGC-3P.pdf | ||
AD9218BST-65/80 | AD9218BST-65/80 AD QFP | AD9218BST-65/80.pdf | ||
X816971-002 XBOX360 | X816971-002 XBOX360 Microsoft BGA | X816971-002 XBOX360.pdf | ||
HY7V281620HCLT-H | HY7V281620HCLT-H N/S NA | HY7V281620HCLT-H.pdf | ||
FF9-11A-R11A | FF9-11A-R11A DDK SMD | FF9-11A-R11A.pdf | ||
SPC12060-180M | SPC12060-180M LSCOMM POWERINDUCTOR | SPC12060-180M.pdf |