창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT300A170G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT300A170G Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 400A | |
전력 - 최대 | 1660W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 300A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 750µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 26.5nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT300A170G | |
관련 링크 | APTGT30, APTGT300A170G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | R9G03612XX | DIODE MODULE 3.6KV 1200A DO200AA | R9G03612XX.pdf | |
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![]() | RYT120012/2 | RYT120012/2 AMD DIP | RYT120012/2.pdf | |
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