창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT200H60G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT200H60G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 290A | |
전력 - 최대 | 625W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT200H60G | |
관련 링크 | APTGT20, APTGT200H60G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
HM76-50680JLFTR13 | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max Nonstandard | HM76-50680JLFTR13.pdf | ||
CRCW02015K11FKED | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02015K11FKED.pdf | ||
lfe3-70ea-6fn48 | lfe3-70ea-6fn48 lat SMD or Through Hole | lfe3-70ea-6fn48.pdf | ||
SLF12575T-680M2R0- | SLF12575T-680M2R0- TDK SMD | SLF12575T-680M2R0-.pdf | ||
CCI2520-6R8J | CCI2520-6R8J MINGSTAR SMD or Through Hole | CCI2520-6R8J.pdf | ||
1376473-3 | 1376473-3 N/A SMD or Through Hole | 1376473-3.pdf | ||
AXH010A0GZ | AXH010A0GZ ORIGINAL SMD or Through Hole | AXH010A0GZ.pdf | ||
HST-1601DR | HST-1601DR GROUP-TEK DIP12 | HST-1601DR.pdf | ||
2AP8 | 2AP8 SUNMATE DO-7 | 2AP8.pdf | ||
XC2C256TQG144CMS | XC2C256TQG144CMS XILINX QFP | XC2C256TQG144CMS.pdf | ||
IXFH24N40 | IXFH24N40 IXYS SMD or Through Hole | IXFH24N40.pdf | ||
TXV1N3307 | TXV1N3307 Microsemi SMD or Through Hole | TXV1N3307.pdf |