창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT200A170D3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT200A170D3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 400A | |
전력 - 최대 | 1250W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 200A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 17nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | D-3 모듈 | |
공급 장치 패키지 | D3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT200A170D3G | |
관련 링크 | APTGT200A, APTGT200A170D3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
GL092F33CDT | 9.216MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL092F33CDT.pdf | ||
MBR0520L-TP | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 | MBR0520L-TP.pdf | ||
GHM3038X7R102K | GHM3038X7R102K ORIGINAL 1808102K | GHM3038X7R102K.pdf | ||
XCM6341MLZP12 | XCM6341MLZP12 FREESCALE BGA | XCM6341MLZP12.pdf | ||
LP8340CLD-2.5/NOPB | LP8340CLD-2.5/NOPB NS DFN6 | LP8340CLD-2.5/NOPB.pdf | ||
MK48H64S-70 | MK48H64S-70 ST SOP | MK48H64S-70.pdf | ||
EBAG | EBAG MIC SOT23-5 | EBAG.pdf | ||
AX7R104K500T | AX7R104K500T N/A SMD or Through Hole | AX7R104K500T.pdf | ||
1008HQ-39NXJL | 1008HQ-39NXJL Coilcraft na | 1008HQ-39NXJL.pdf | ||
CGS-HSA5-50RJ | CGS-HSA5-50RJ MEG/ SMD or Through Hole | CGS-HSA5-50RJ.pdf | ||
LT1085T | LT1085T ST TO-220 | LT1085T.pdf | ||
FAP2601120220BS | FAP2601120220BS YAMAICHI SMD or Through Hole | FAP2601120220BS.pdf |