창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGT100DA170D1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGT100DA170D1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200A | |
| 전력 - 최대 | 695W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 3mA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 8.5nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | D1 | |
| 공급 장치 패키지 | D1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGT100DA170D1G | |
| 관련 링크 | APTGT100D, APTGT100DA170D1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | P6SMB200CAHE3/52 | TVS DIODE 171VWM 274VC SMB | P6SMB200CAHE3/52.pdf | |
![]() | 445W25A25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25A25M00000.pdf | |
![]() | 416F30013CDT | 30MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30013CDT.pdf | |
![]() | DSC1001CE2-010.0000T | 10MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CE2-010.0000T.pdf | |
![]() | Y010125K0000V9L | RES 25K OHM 1W 0.005% RADIAL | Y010125K0000V9L.pdf | |
![]() | EL9510BGA | EL9510BGA EL BGA | EL9510BGA.pdf | |
![]() | EF6805U3P-F337 | EF6805U3P-F337 ST DIP40 | EF6805U3P-F337.pdf | |
![]() | SUGY47M | SUGY47M SUNLED ROHS | SUGY47M.pdf | |
![]() | SSM6N15FE(T5LAP,E) | SSM6N15FE(T5LAP,E) TOS N A | SSM6N15FE(T5LAP,E).pdf | |
![]() | RD1V477M10016BB180 | RD1V477M10016BB180 ORIGINAL DIP | RD1V477M10016BB180.pdf | |
![]() | RCN06-10R/820K | RCN06-10R/820K ORIGINAL SMD | RCN06-10R/820K.pdf |