창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGF150H120G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGF150H120G Power Products Catalog | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200A | |
| 전력 - 최대 | 961W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 350µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 10.2nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTGF150H120GMP-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGF150H120G | |
| 관련 링크 | APTGF15, APTGF150H120G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-FA2J684JQ | 0.68µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.717" L x 0.472" W (18.20mm x 12.00mm) | ECW-FA2J684JQ.pdf | |
![]() | BSB165N15NZ3 G | MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | BSB165N15NZ3 G.pdf | |
![]() | CRCW040218R2FKED | RES SMD 18.2 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040218R2FKED.pdf | |
![]() | TNPW12101M60BETA | RES SMD 1.6M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M60BETA.pdf | |
![]() | 1N4464US | 1N4464US Microsemi SMD or Through Hole | 1N4464US.pdf | |
![]() | 24HST1041G-2(M) | 24HST1041G-2(M) BOTHHAND SOPDIP | 24HST1041G-2(M).pdf | |
![]() | 97230ETE | 97230ETE MAX QFN | 97230ETE.pdf | |
![]() | 12540/BCAJC 5962-8775201CA | 12540/BCAJC 5962-8775201CA MOT CDIP14 | 12540/BCAJC 5962-8775201CA.pdf | |
![]() | 54LS157DMQB/C | 54LS157DMQB/C FAI DIP | 54LS157DMQB/C.pdf | |
![]() | LT1396IDD/C | LT1396IDD/C LT QFN | LT1396IDD/C.pdf | |
![]() | 5D8 | 5D8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5D8.pdf | |
![]() | 2SA1902 | 2SA1902 ORIGINAL to-92 | 2SA1902.pdf |