창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTDF430U100G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTDF430U100G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | Resin Layer 17/Oct/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 500A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.3V @ 500A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 120ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2.5mA @ 1000V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | LP4 | |
| 공급 장치 패키지 | LP4 | |
| 작동 온도 - 접합 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTDF430U100G | |
| 관련 링크 | APTDF43, APTDF430U100G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | T350C475K020AS | T350C475K020AS KEMET DIP-2 | T350C475K020AS.pdf | |
![]() | MIN20AT5D40.000000MHZ | MIN20AT5D40.000000MHZ KYUSHU SMD or Through Hole | MIN20AT5D40.000000MHZ.pdf | |
![]() | 18F4525T-I/ML | 18F4525T-I/ML MIOROCHIP SMD or Through Hole | 18F4525T-I/ML.pdf | |
![]() | LM2676S-5V | LM2676S-5V NS TO263 | LM2676S-5V.pdf | |
![]() | K5L5628ATB-AF66 | K5L5628ATB-AF66 SAMSUNG BGA | K5L5628ATB-AF66.pdf | |
![]() | LC73814M | LC73814M SANYO SOP24 | LC73814M.pdf | |
![]() | EM637327Q-8 | EM637327Q-8 ETRONTECH QFP | EM637327Q-8.pdf | |
![]() | LM2793LDEV | LM2793LDEV NSC Call | LM2793LDEV.pdf | |
![]() | AM29C323GC | AM29C323GC AMD PGA169 | AM29C323GC.pdf | |
![]() | LY6206A15M | LY6206A15M LY SOT23-3 | LY6206A15M.pdf | |
![]() | PQV057ZA | PQV057ZA SAMSUNG SMD or Through Hole | PQV057ZA.pdf |