창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTCV60HM45RCT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTCV60HM45RCT3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50A | |
전력 - 최대 | 250W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
입력 | 단상 브리지 정류기 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTCV60HM45RCT3G | |
관련 링크 | APTCV60HM, APTCV60HM45RCT3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 102S42E750FV4E | 75pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E750FV4E.pdf | |
![]() | MCR50JZHJ392 | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/2W 2010 | MCR50JZHJ392.pdf | |
![]() | ADE775AR | ADE775AR AD SOP28 | ADE775AR.pdf | |
![]() | 1808CG680J301NT | 1808CG680J301NT ORIGINAL 1808 | 1808CG680J301NT.pdf | |
![]() | MHF-1608C-82NJ-RT | MHF-1608C-82NJ-RT ORIGINAL 0603L | MHF-1608C-82NJ-RT.pdf | |
![]() | G07007SBA | G07007SBA WIS BGA | G07007SBA.pdf | |
![]() | VSC891GQ | VSC891GQ VITESSE QFP208 | VSC891GQ.pdf | |
![]() | CY7C1383B-100BZI | CY7C1383B-100BZI ORIGINAL SMD or Through Hole | CY7C1383B-100BZI.pdf | |
![]() | AB010A | AB010A AB SIP6 | AB010A.pdf | |
![]() | SCR000014-90 | SCR000014-90 Baoqiang SMD or Through Hole | SCR000014-90.pdf | |
![]() | LTC1571EGN-5 | LTC1571EGN-5 LT SSOP | LTC1571EGN-5.pdf | |
![]() | IGBT3-08 | IGBT3-08 ORIGINAL TO-220 | IGBT3-08.pdf |