창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTCV60HM45RCT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTCV60HM45RCT3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50A | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
| 입력 | 단상 브리지 정류기 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTCV60HM45RCT3G | |
| 관련 링크 | APTCV60HM, APTCV60HM45RCT3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | S0603-8N2G1B | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 150 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-8N2G1B.pdf | |
![]() | RCP0603W1K80GEA | RES SMD 1.8K OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W1K80GEA.pdf | |
![]() | SFF1005C/SFF1005G | SFF1005C/SFF1005G TSC TO-220 | SFF1005C/SFF1005G.pdf | |
![]() | CXD8640Q | CXD8640Q SONY QFP | CXD8640Q.pdf | |
![]() | PL611-941SC | PL611-941SC PhaseLink SOIC | PL611-941SC.pdf | |
![]() | BTA12-1200B | BTA12-1200B ST SMD or Through Hole | BTA12-1200B.pdf | |
![]() | 145-168-1717-01(LW) | 145-168-1717-01(LW) ALLIED SMD or Through Hole | 145-168-1717-01(LW).pdf | |
![]() | RT2P03M-T111-1 | RT2P03M-T111-1 MITSUBISH SOT353 | RT2P03M-T111-1.pdf | |
![]() | SDV1608A090C231PTF | SDV1608A090C231PTF sunlord/ SMD or Through Hole | SDV1608A090C231PTF.pdf | |
![]() | GJ-8020E | GJ-8020E ORIGINAL SMD or Through Hole | GJ-8020E.pdf |