창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC80H29T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC80H29T3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2254pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC80H29T3G | |
관련 링크 | APTC80H, APTC80H29T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BZX384B2V7-G3-18 | DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD323 | BZX384B2V7-G3-18.pdf | |
![]() | P1166.333NLT | 33µH Shielded Wirewound Inductor 940mA 205 mOhm Max Nonstandard | P1166.333NLT.pdf | |
![]() | KRC110S | KRC110S KEC SOT-23 | KRC110S.pdf | |
![]() | L6591 (P/B) | L6591 (P/B) ST 3.9mm-16 | L6591 (P/B).pdf | |
![]() | 7142SA55J | 7142SA55J IDT PLCC | 7142SA55J.pdf | |
![]() | 34D441 | 34D441 TDK PLCC28 | 34D441.pdf | |
![]() | QMV445AL5 | QMV445AL5 PGA SMD or Through Hole | QMV445AL5.pdf | |
![]() | R60GR4330AA3 | R60GR4330AA3 KEMET SMD or Through Hole | R60GR4330AA3.pdf | |
![]() | dcg102my5u075volbo | dcg102my5u075volbo ORIGINAL SMD or Through Hole | dcg102my5u075volbo.pdf | |
![]() | EPM10K50VBC2562 | EPM10K50VBC2562 ALT BGA | EPM10K50VBC2562.pdf | |
![]() | AM-320240L8TNQW-00-H/R | AM-320240L8TNQW-00-H/R AMPIRE SMD or Through Hole | AM-320240L8TNQW-00-H/R.pdf | |
![]() | BZX55B13V T/B | BZX55B13V T/B ST DO-35 | BZX55B13V T/B.pdf |