창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTC80DDA15T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTC80DDA15T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4507pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 277W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTC80DDA15T3G | |
| 관련 링크 | APTC80DD, APTC80DDA15T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TVS3V3L4UE6327HTSA1 | TVS DIODE 3.3VWM 7.7VC SC74 | TVS3V3L4UE6327HTSA1.pdf | |
![]() | HS15 100R J | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 15W | HS15 100R J.pdf | |
![]() | T5CJ3-7G28 | T5CJ3-7G28 TOSHIBA SMD or Through Hole | T5CJ3-7G28.pdf | |
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![]() | TB1252N | TB1252N TOSHIBA SMD or Through Hole | TB1252N.pdf | |
![]() | 293D337X06R3E2T. | 293D337X06R3E2T. VISHAY SMD or Through Hole | 293D337X06R3E2T..pdf | |
![]() | ADSPBF537KBCZ6B | ADSPBF537KBCZ6B ad SMD or Through Hole | ADSPBF537KBCZ6B.pdf |