창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60SKM24T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60SKM24T1G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 95A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 47.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 462W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60SKM24T1G | |
관련 링크 | APTC60SK, APTC60SKM24T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
VJ0805D101MLBAJ | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101MLBAJ.pdf | ||
P160R-224FS | 220µH Unshielded Inductor 112mA 9.8 Ohm Max Nonstandard | P160R-224FS.pdf | ||
767143221GP | RES ARRAY 7 RES 220 OHM 14SOIC | 767143221GP.pdf | ||
LNK4002S-TL | Converter Offline Flyback Topology 65kHz SOT-23-6 | LNK4002S-TL.pdf | ||
4609X-1T1-203 | 4609X-1T1-203 Bourns DIP | 4609X-1T1-203.pdf | ||
GHM1030R101K | GHM1030R101K ORIGINAL SMD or Through Hole | GHM1030R101K.pdf | ||
C2012C0G1H221JT000N(C0805-221J/50V) | C2012C0G1H221JT000N(C0805-221J/50V) TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H221JT000N(C0805-221J/50V).pdf | ||
TLP716-F | TLP716-F TOSHIBA SOIC-6 | TLP716-F.pdf | ||
CDRH3D16-470 | CDRH3D16-470 HZ SMD or Through Hole | CDRH3D16-470.pdf | ||
DSPIC33FJ64MC506T-I/PT030 | DSPIC33FJ64MC506T-I/PT030 Microchi SMD or Through Hole | DSPIC33FJ64MC506T-I/PT030.pdf | ||
BAS316 /A6 | BAS316 /A6 PHILIPS SMD or Through Hole | BAS316 /A6.pdf |