창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTC60HM70T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTC60HM70T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 39A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 259nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTC60HM70T3G | |
| 관련 링크 | APTC60H, APTC60HM70T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| B32023B3224M | 0.22µF Film Capacitor 300V 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.571" W (26.50mm x 14.50mm) | B32023B3224M.pdf | ||
![]() | CPL03R0900JE31 | RES 0.09 OHM 3W 5% AXIAL | CPL03R0900JE31.pdf | |
![]() | NOKIA4371112 | NOKIA4371112 NEC BGA | NOKIA4371112.pdf | |
![]() | SXE100VB220ML25 | SXE100VB220ML25 NIPPONCHEMICON ORIGINAL | SXE100VB220ML25.pdf | |
![]() | MAX521BEPP | MAX521BEPP MAXIM DIP | MAX521BEPP.pdf | |
![]() | IC-10290134 | IC-10290134 SENTROL SMD | IC-10290134.pdf | |
![]() | MB622E47PF-G-BNA | MB622E47PF-G-BNA FUJI QFP | MB622E47PF-G-BNA.pdf | |
![]() | IW4030BN | IW4030BN INTEGRAL CMOS-DIP | IW4030BN.pdf | |
![]() | MM3096AQRE | MM3096AQRE MITSUMI QFP | MM3096AQRE.pdf | |
![]() | MB15F08SLPFV | MB15F08SLPFV FUJITSU TSSOP16 | MB15F08SLPFV.pdf | |
![]() | TG110-S453NX64D | TG110-S453NX64D HALO 40SMD | TG110-S453NX64D.pdf | |
![]() | DLP3216S221SL271M0-001/T25 | DLP3216S221SL271M0-001/T25 ORIGINAL SMD or Through Hole | DLP3216S221SL271M0-001/T25.pdf |