창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60HM70RT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60HM70RT3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) + 브리지 정류기 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 39A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 259nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60HM70RT3G | |
관련 링크 | APTC60HM, APTC60HM70RT3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | 12105C822JAT2A | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12105C822JAT2A.pdf | |
![]() | VJ1206Y562JBBAT4X | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y562JBBAT4X.pdf | |
![]() | ECS-3518-480-B-TR | 48MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 15mA Enable/Disable | ECS-3518-480-B-TR.pdf | |
![]() | P51-200-S-A-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-S-A-M12-20MA-000-000.pdf | |
![]() | ADC10664 | ADC10664 NS SOP | ADC10664.pdf | |
![]() | LC378100PM | LC378100PM SANYO SOP-32 | LC378100PM.pdf | |
![]() | 0805B105K160NT | 0805B105K160NT FH/ SMD or Through Hole | 0805B105K160NT.pdf | |
![]() | SBY100505T-221Y-N | SBY100505T-221Y-N CHILISIN 0402-221 | SBY100505T-221Y-N.pdf | |
![]() | E11FS2 | E11FS2 SHIN SMD or Through Hole | E11FS2.pdf | |
![]() | M29F800AT90M | M29F800AT90M ST SMD or Through Hole | M29F800AT90M.pdf | |
![]() | A3958SB-T | A3958SB-T ALLEGRO SMD or Through Hole | A3958SB-T.pdf |