창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTC60DSKM24T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTC60DSKM24T3G | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-chan(이중 벅 초퍼) | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 95A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 47.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 462W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTC60DSKM24T3G | |
| 관련 링크 | APTC60DSK, APTC60DSKM24T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1845268206R | 6800pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.374" Dia x 1.142" L (9.50mm x 29.00mm) | MKP1845268206R.pdf | |
![]() | RMCF1206JG5M10 | RES SMD 5.1M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JG5M10.pdf | |
![]() | IL35 | IL35 IKS SOP8 | IL35.pdf | |
![]() | BCR8KM-10L | BCR8KM-10L MITSUBIS TO-220 | BCR8KM-10L.pdf | |
![]() | 11777-501 | 11777-501 N/A SOP | 11777-501.pdf | |
![]() | RD18SB3-T1-AT | RD18SB3-T1-AT RENESAS SMD or Through Hole | RD18SB3-T1-AT.pdf | |
![]() | RC0805JR-07100R(YAGEO) | RC0805JR-07100R(YAGEO) ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805JR-07100R(YAGEO).pdf | |
![]() | TMA4449DJ | TMA4449DJ ORIGINAL SMD or Through Hole | TMA4449DJ.pdf | |
![]() | LB1933M-TRM-E | LB1933M-TRM-E SANYO STOCK | LB1933M-TRM-E.pdf | |
![]() | NTE918M | NTE918M NTE DIP8 | NTE918M.pdf |