창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60DDAM35T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60DDAM35T3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 72A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5.4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 518nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 416W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APTC60DDAM35T3GMP APTC60DDAM35T3GMP-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60DDAM35T3G | |
관련 링크 | APTC60DDA, APTC60DDAM35T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RG3216N-3831-W-T1 | RES SMD 3.83KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-3831-W-T1.pdf | |
![]() | RG1608V-4870-W-T1 | RES SMD 487 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-4870-W-T1.pdf | |
![]() | 85F37K4 | RES 37.4K OHM 5W 1% AXIAL | 85F37K4.pdf | |
![]() | 56112 | 56112 MURR null | 56112.pdf | |
![]() | NRWS221M16V6.3x11F | NRWS221M16V6.3x11F NIC DIP | NRWS221M16V6.3x11F.pdf | |
![]() | T35305 | T35305 ORIGINAL SMD or Through Hole | T35305.pdf | |
![]() | D4632512F1-E19X-A | D4632512F1-E19X-A NEC BGA | D4632512F1-E19X-A.pdf | |
![]() | LTC3406ES5-1.2#TRMPBF (NY) | LTC3406ES5-1.2#TRMPBF (NY) LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC3406ES5-1.2#TRMPBF (NY).pdf | |
![]() | 185-3-020-0-NFX-KR1 | 185-3-020-0-NFX-KR1 MPEGARRY SMD or Through Hole | 185-3-020-0-NFX-KR1.pdf | |
![]() | SI4890DV SOP-8 | SI4890DV SOP-8 VISHAY SMD or Through Hole | SI4890DV SOP-8.pdf | |
![]() | MPK23C1000-B-12 | MPK23C1000-B-12 SAM IC MEMORY | MPK23C1000-B-12.pdf | |
![]() | C61039Y | C61039Y TI DIP-28 | C61039Y.pdf |