창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60AM45BC1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60AM45BC1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 3N 채널(위상 레그 + 부스트 초퍼) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 24.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60AM45BC1G | |
관련 링크 | APTC60AM, APTC60AM45BC1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SSCDANN1.6BGAA5 | Pressure Sensor 23.21 PSI (160 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | SSCDANN1.6BGAA5.pdf | |
![]() | CD5845-100(10UH) | CD5845-100(10UH) DONGIN 1KR | CD5845-100(10UH).pdf | |
![]() | DJLXT972ALC.A4 | DJLXT972ALC.A4 INTEL LQFP-64P | DJLXT972ALC.A4.pdf | |
![]() | TZB04Z030BA006 | TZB04Z030BA006 MURATA SMD or Through Hole | TZB04Z030BA006.pdf | |
![]() | MT29C4G48MAPLCJQ-6IT | MT29C4G48MAPLCJQ-6IT MICRONSEMI SMD or Through Hole | MT29C4G48MAPLCJQ-6IT.pdf | |
![]() | LY3NJ-DC220V | LY3NJ-DC220V OMRON SMD or Through Hole | LY3NJ-DC220V.pdf | |
![]() | 16FLR10 | 16FLR10 IR MODULE | 16FLR10.pdf | |
![]() | PCI6152-xx66BC | PCI6152-xx66BC PLX SMD or Through Hole | PCI6152-xx66BC.pdf | |
![]() | MP1011DMA | MP1011DMA ORIGINAL SSOP | MP1011DMA.pdf | |
![]() | EVEL30V150M807 | EVEL30V150M807 ORIGINAL SMD or Through Hole | EVEL30V150M807.pdf | |
![]() | SI2163-D-GMR | SI2163-D-GMR SILICON QFN | SI2163-D-GMR.pdf | |
![]() | AFC19MN34M0A2R | AFC19MN34M0A2R MURATA SMD or Through Hole | AFC19MN34M0A2R.pdf |