창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT9M100B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT9M100(B,S) Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2605pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 335W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT9M100B | |
관련 링크 | APT9M, APT9M100B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | APXF6R3ARA221ME61G | 220µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 12 mOhm 15000 Hrs @ 105°C | APXF6R3ARA221ME61G.pdf | |
![]() | APT40DQ120BG | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | APT40DQ120BG.pdf | |
![]() | CMF5514R000FKBF39 | RES 14 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5514R000FKBF39.pdf | |
![]() | HMC582LP5TR | RF IC VCO General Purpose 11.1GHz ~ 12.4GHz Triple Outputs (Divide by 2, Divide by 4, Standard) 32-QFN (5x5) | HMC582LP5TR.pdf | |
![]() | 0402F105M6R3NT | 0402F105M6R3NT FH/ SMD or Through Hole | 0402F105M6R3NT.pdf | |
![]() | 257G-FREQUENOU | 257G-FREQUENOU FOX 6035 | 257G-FREQUENOU.pdf | |
![]() | ULN2803AFNG | ULN2803AFNG ORIGINAL NA | ULN2803AFNG.pdf | |
![]() | MAG05X5R0J106M | MAG05X5R0J106M ORIGINAL QFN | MAG05X5R0J106M.pdf | |
![]() | MAX3088E | MAX3088E MAXIM SMD or Through Hole | MAX3088E.pdf | |
![]() | TMS37C712AFNT | TMS37C712AFNT TI SMD or Through Hole | TMS37C712AFNT.pdf | |
![]() | BZV55BC11-F | BZV55BC11-F ORIGINAL LL43 | BZV55BC11-F.pdf | |
![]() | KSP25-TA | KSP25-TA ORIGINAL TO-92 | KSP25-TA.pdf |