창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT8M100B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT8M100(B,S) Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1885pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 290W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT8M100B | |
관련 링크 | APT8M, APT8M100B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CC1812JKNPOCBN152 | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.125" W(4.50mm x 3.20mm) | CC1812JKNPOCBN152.pdf | |
![]() | SMCJ30CA-HRAT7 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC | SMCJ30CA-HRAT7.pdf | |
![]() | PAT1220-C-7DB-T5 | RF Attenuator 7dB ±0.3dB 0 ~ 10GHz 50 Ohm 100mW 0805 (2012 Metric) | PAT1220-C-7DB-T5.pdf | |
![]() | EGN05-02 | EGN05-02 FUJI STUD | EGN05-02.pdf | |
![]() | PTF080101 | PTF080101 INFINEON SMD or Through Hole | PTF080101.pdf | |
![]() | CS8221YDP3 | CS8221YDP3 ON TO-263 | CS8221YDP3.pdf | |
![]() | PT8382 | PT8382 PTC SMD or Through Hole | PT8382.pdf | |
![]() | ZX95-1700-S+ | ZX95-1700-S+ MINI SMD or Through Hole | ZX95-1700-S+.pdf | |
![]() | IDC2512NB221M | IDC2512NB221M MAXIM SMD | IDC2512NB221M.pdf | |
![]() | HTT90-12V | HTT90-12V NEC DIP | HTT90-12V.pdf | |
![]() | ROP 101 1192/2 R1A | ROP 101 1192/2 R1A ORIGINAL SMD or Through Hole | ROP 101 1192/2 R1A.pdf | |
![]() | TX1110NL | TX1110NL PULSE SOP | TX1110NL.pdf |