창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT80SM120S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT80SM120(B,S) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 40A, 20V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 625W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D3Pak | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT80SM120S | |
관련 링크 | APT80S, APT80SM120S 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | CS-023-114.285M | 114.285MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS-023-114.285M.pdf | |
![]() | 1676305-5 | RES SMD 32.4KOHM 0.1% 1/10W 0805 | 1676305-5.pdf | |
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![]() | RF1206-3R | RF1206-3R Uniohm 1206 | RF1206-3R.pdf | |
![]() | MS-4500B | MS-4500B FREE SMD or Through Hole | MS-4500B.pdf | |
![]() | TQ2059 | TQ2059 Triquint SMD or Through Hole | TQ2059.pdf | |
![]() | TE28F800B5T-120 | TE28F800B5T-120 INT SMD or Through Hole | TE28F800B5T-120.pdf | |
![]() | EPF8820AQC160-2 | EPF8820AQC160-2 ALTREA QFP | EPF8820AQC160-2.pdf | |
![]() | SUF303A | SUF303A SECOCS DO-214AA | SUF303A.pdf | |
![]() | HD141022BP | HD141022BP HITACHI DIP16 | HD141022BP.pdf | |
![]() | 35V3900UF | 35V3900UF nippon SMD or Through Hole | 35V3900UF.pdf |