창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT80F60J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT80F60J | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 598nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23994pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 961W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT80F60J | |
| 관련 링크 | APT80, APT80F60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 160-153FS | 15µH Unshielded Inductor 180mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 160-153FS.pdf | |
![]() | IDTQS3389Q | IDTQS3389Q IDT SMD or Through Hole | IDTQS3389Q.pdf | |
![]() | LFA24-2A1A104M | LFA24-2A1A104M MITSUBISHI SMD or Through Hole | LFA24-2A1A104M.pdf | |
![]() | 6133460-1 | 6133460-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6133460-1.pdf | |
![]() | M28W160ESB-70ZA6 | M28W160ESB-70ZA6 ST BGA | M28W160ESB-70ZA6.pdf | |
![]() | M95320-MN3TP/P | M95320-MN3TP/P ST SOP-8 | M95320-MN3TP/P.pdf | |
![]() | D5XB20 | D5XB20 ORIGINAL SMD or Through Hole | D5XB20.pdf | |
![]() | EH393286J | EH393286J AKI N A | EH393286J.pdf | |
![]() | G6B-1174P--US-24V | G6B-1174P--US-24V OMRON SMD or Through Hole | G6B-1174P--US-24V.pdf | |
![]() | RJ1A23D20E | RJ1A23D20E ORIGINAL SMD or Through Hole | RJ1A23D20E.pdf | |
![]() | AK2356-K | AK2356-K AMK DIP | AK2356-K.pdf | |
![]() | TMM2116P-10 | TMM2116P-10 TOS DIP-24 | TMM2116P-10.pdf |