창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT80F60J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT80F60J | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 598nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23994pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 961W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT80F60J | |
관련 링크 | APT80, APT80F60J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | K682M10X7RH5TL2 | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K682M10X7RH5TL2.pdf | |
23FD3305-F | 5µF Film Capacitor 330V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.125" Dia (53.98mm), Lip | 23FD3305-F.pdf | ||
![]() | 1EZ100D10E3/TR8 | DIODE ZENER 100V 1W DO204AL | 1EZ100D10E3/TR8.pdf | |
![]() | RMCF2512FT200K | RES SMD 200K OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT200K.pdf | |
![]() | PT1206FR-7W0R665L | RES SMD 0.665 OHM 1% 1/2W 1206 | PT1206FR-7W0R665L.pdf | |
![]() | VP06703 | VP06703 ORIGINAL QFP | VP06703.pdf | |
![]() | A992-F | A992-F NEC TO-92 | A992-F.pdf | |
![]() | SN74BCT25245DWR | SN74BCT25245DWR TI SOIC | SN74BCT25245DWR.pdf | |
![]() | TC8DVG02A1FTI0 | TC8DVG02A1FTI0 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC8DVG02A1FTI0.pdf | |
![]() | 2SA1451-Y | 2SA1451-Y TOSHIBA TO-220F | 2SA1451-Y.pdf | |
![]() | KSZ8895MQ | KSZ8895MQ MIS SMD or Through Hole | KSZ8895MQ.pdf | |
![]() | SIT8103AI-32-18E-12.28800Y | SIT8103AI-32-18E-12.28800Y SITIME SMD or Through Hole | SIT8103AI-32-18E-12.28800Y.pdf |