창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT75M50L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT75M50(B2,L) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 37A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT75M50L | |
| 관련 링크 | APT75, APT75M50L 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | APX250ARA390MJ80G | APX250ARA390MJ80G CHEMI- SMD or Through Hole | APX250ARA390MJ80G.pdf | |
|  | 87682-2001 | 87682-2001 molex NA | 87682-2001.pdf | |
|  | SII1169CTU100 | SII1169CTU100 ORIGINAL QFP | SII1169CTU100.pdf | |
|  | TL751M12MFKB | TL751M12MFKB TI DIP | TL751M12MFKB.pdf | |
|  | TWP95C061BF | TWP95C061BF ORIGINAL QFP | TWP95C061BF.pdf | |
|  | AN18207 | AN18207 PANASONIC QFP48 | AN18207.pdf | |
|  | AD8C111STR | AD8C111STR SSOUSA DIP | AD8C111STR.pdf | |
|  | MSS5121-222MLD | MSS5121-222MLD COILCRAFT SMD or Through Hole | MSS5121-222MLD.pdf | |
|  | ANS2132-VUL | ANS2132-VUL NATIONAL SMD or Through Hole | ANS2132-VUL.pdf | |
|  | K9F5608Q0C-JIB0 | K9F5608Q0C-JIB0 SAMSUNG BGA | K9F5608Q0C-JIB0.pdf | |
|  | VTX-1 | VTX-1 VTX SIP9 | VTX-1.pdf | |
|  | 54LS155A/BEAJC | 54LS155A/BEAJC ORIGINAL CDIP | 54LS155A/BEAJC.pdf |