창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT75F50B2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT75F50B2,50L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 37A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT75F50B2 | |
| 관련 링크 | APT75F, APT75F50B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | MCS04020C1102FE000 | RES SMD 11K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C1102FE000.pdf | |
![]() | RG2012N-4223-W-T1 | RES SMD 422K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-4223-W-T1.pdf | |
![]() | MF55C22R6FT | MF55C22R6FT ASJ SMD or Through Hole | MF55C22R6FT.pdf | |
![]() | SILHR9.81010KG07 | SILHR9.81010KG07 ORIGINAL ORIGINAL | SILHR9.81010KG07.pdf | |
![]() | ADSP-21363BBCZ-1AA | ADSP-21363BBCZ-1AA AD BGA | ADSP-21363BBCZ-1AA.pdf | |
![]() | 28D320C3BD70 | 28D320C3BD70 INTEL BGA | 28D320C3BD70.pdf | |
![]() | B59536A0135A020 | B59536A0135A020 epcos SMD or Through Hole | B59536A0135A020.pdf | |
![]() | XC2C384-10FG324I | XC2C384-10FG324I XILINX SMD or Through Hole | XC2C384-10FG324I.pdf | |
![]() | FSM4935PT | FSM4935PT chenmko SMA | FSM4935PT.pdf | |
![]() | RN1103TE85L | RN1103TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1103TE85L.pdf |