창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT66F60B2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT66F60B2,60L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13190pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT66F60B2 | |
관련 링크 | APT66F, APT66F60B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 0429002.WRM | FUSE BOARD MNT 2A 63VAC/VDC 1206 | 0429002.WRM.pdf | |
![]() | BZV55-C6V8,115 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD80C | BZV55-C6V8,115.pdf | |
![]() | PCF0603R-5K49BT1 | RES SMD 5.49KOHM 0.1% 1/16W 0603 | PCF0603R-5K49BT1.pdf | |
![]() | TNPU060324K3BZEN00 | RES SMD 24.3KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPU060324K3BZEN00.pdf | |
RP164PJ112CS | RES ARRAY 4 RES 1.1K OHM 1206 | RP164PJ112CS.pdf | ||
![]() | Y00626R00000B9L | RES 6 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00626R00000B9L.pdf | |
![]() | 5.46017.028/0710 | 5.46017.028/0710 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.46017.028/0710.pdf | |
![]() | PD30016 | PD30016 ORIGINAL SMD or Through Hole | PD30016.pdf | |
![]() | SNJ54HCT245W | SNJ54HCT245W ORIGINAL SMD or Through Hole | SNJ54HCT245W.pdf | |
![]() | ADC876B | ADC876B DATEL SMD or Through Hole | ADC876B.pdf | |
![]() | MB3759PF-G-BND-HN- | MB3759PF-G-BND-HN- FUJITSU SOP | MB3759PF-G-BND-HN-.pdf | |
![]() | HM511001AP-8 | HM511001AP-8 HIT DIP | HM511001AP-8.pdf |