창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT60M80JVR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT60M80JVR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 870nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 568W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT60M80JVR | |
| 관련 링크 | APT60M, APT60M80JVR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRL2010-FW-3R00ELF | RES SMD 3 OHM 1% 1/2W 2010 | CRL2010-FW-3R00ELF.pdf | |
![]() | 450V0.47UF | 450V0.47UF nippon SMD or Through Hole | 450V0.47UF.pdf | |
![]() | 29LV160TE-90PCV | 29LV160TE-90PCV FUJ TSSOP48 | 29LV160TE-90PCV.pdf | |
![]() | 2130KB0013A | 2130KB0013A ORIGINAL x5r | 2130KB0013A.pdf | |
![]() | 54LS04/BDBJC | 54LS04/BDBJC MOT SMD or Through Hole | 54LS04/BDBJC.pdf | |
![]() | ICS950805AGLFT | ICS950805AGLFT ICS TSSOP56 | ICS950805AGLFT.pdf | |
![]() | RD9.1UJ-T | RD9.1UJ-T NEC SMD or Through Hole | RD9.1UJ-T.pdf | |
![]() | 324EDAAU | 324EDAAU ORIGINAL MSOP8 | 324EDAAU.pdf | |
![]() | HY-Y805 | HY-Y805 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY-Y805.pdf | |
![]() | LHD-S6WC01 | LHD-S6WC01 ORIGINAL SMD or Through Hole | LHD-S6WC01.pdf | |
![]() | RLR20C1001FRB14 | RLR20C1001FRB14 VISHAY SMD or Through Hole | RLR20C1001FRB14.pdf |