창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT60M75JVFR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT60M75JVFR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1050nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT60M75JVFR | |
| 관련 링크 | APT60M7, APT60M75JVFR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1618AE-83-33E-26.000000Y | OSC XO 3.3V 26MHZ OE | SIT1618AE-83-33E-26.000000Y.pdf | |
![]() | CP00054R700JE66 | RES 4.7 OHM 5W 5% AXIAL | CP00054R700JE66.pdf | |
![]() | T351M157M010AS | T351M157M010AS kemet SMD or Through Hole | T351M157M010AS.pdf | |
![]() | IAP11F62 | IAP11F62 STC LQFPPDIPPLCC | IAP11F62.pdf | |
![]() | 82C59A-2-P | 82C59A-2-P SIEMENS DIP | 82C59A-2-P.pdf | |
![]() | 1.3W170V | 1.3W170V FANGAO/ON/ST/VISHAY SMD DIP | 1.3W170V.pdf | |
![]() | MICRO 16GB/SD-C16G2R6W | MICRO 16GB/SD-C16G2R6W TOSHIBA SMD or Through Hole | MICRO 16GB/SD-C16G2R6W.pdf | |
![]() | XC8810RS50G70F40G | XC8810RS50G70F40G ORIGINAL BGA | XC8810RS50G70F40G.pdf | |
![]() | FFA20U60DNTU===Fairchild | FFA20U60DNTU===Fairchild ORIGINAL TO-3P | FFA20U60DNTU===Fairchild.pdf | |
![]() | M2018SS1W01-RO | M2018SS1W01-RO NKK SMD or Through Hole | M2018SS1W01-RO.pdf |