창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT60M60JFLL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT60M60JFLL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 289nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12630pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT60M60JFLL | |
| 관련 링크 | APT60M6, APT60M60JFLL 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TPSMB13AHE3/5BT | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC SMB | TPSMB13AHE3/5BT.pdf | |
![]() | RT1210DRD07820RL | RES SMD 820 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07820RL.pdf | |
![]() | PT2512JK-7W0R1L | RES SMD 0.1 OHM 5% 2W 2512 | PT2512JK-7W0R1L.pdf | |
![]() | 33-2412NM-00-0050 | 1.575GHz GLONASS, GPS Puck RF Antenna 1.574GHz ~ 1.606GHz 28dB Connector, SMA Female Surface Mount | 33-2412NM-00-0050.pdf | |
![]() | RNC60H6040BS | RNC60H6040BS ORIGINAL T-2 | RNC60H6040BS.pdf | |
![]() | UZ-5.1BSB 52MM | UZ-5.1BSB 52MM ORIGINAL DO34 | UZ-5.1BSB 52MM.pdf | |
![]() | OB27PB42C1033 | OB27PB42C1033 ORIGINAL SMD or Through Hole | OB27PB42C1033.pdf | |
![]() | ADM6306D131ARJZ1R7 | ADM6306D131ARJZ1R7 AD SMD or Through Hole | ADM6306D131ARJZ1R7.pdf | |
![]() | MB624509 | MB624509 FUJITSU DIP20 | MB624509.pdf | |
![]() | 8S17SM350T6 | 8S17SM350T6 MDV SMD or Through Hole | 8S17SM350T6.pdf | |
![]() | SG2416-003 | SG2416-003 LINFINITY CDIP8 | SG2416-003.pdf | |
![]() | MM1437AF | MM1437AF MITSUMI SOP7 | MM1437AF.pdf |