Microsemi Corporation APT58M80J
- 제조업체 부품 번호
- APT58M80J
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
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APT58M80J 가격 및 조달
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8561 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 46,720.44740
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APT58M80J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT58M80J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT58M80J Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 43A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 570nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT58M80JMI APT58M80JMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT58M80J | |
| 관련 링크 | APT58, APT58M80J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
APT58M80J 의 관련 제품
.jpg) | RP73D2B39K2BTDF | RES SMD 39.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B39K2BTDF.pdf | |
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| 0805N5R0C500AD | 0805N5R0C500AD ORIGINAL 0805-050C | 0805N5R0C500AD.pdf | |
| E7A12381MMJF | E7A12381MMJF OTHER SMD or Through Hole | E7A12381MMJF.pdf | |
| CMDA1CY7A1Z-100 | CMDA1CY7A1Z-100 CML ROHS | CMDA1CY7A1Z-100.pdf | |
| SM223TF | SM223TF SiliconM QFP | SM223TF.pdf |