창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT56M60B2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Power Products Catalog APT56M60(B2,L) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 28A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT56M60B2MP APT56M60B2MP-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT56M60B2 | |
| 관련 링크 | APT56M, APT56M60B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C917U200JZNDBAWL35 | 20pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U200JZNDBAWL35.pdf | |
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![]() | TPS2818DBVR | TPS2818DBVR TI SOT153 | TPS2818DBVR.pdf | |
![]() | M374S0823FTSC1L/K4S640832F | M374S0823FTSC1L/K4S640832F SAM DIMM | M374S0823FTSC1L/K4S640832F.pdf | |
![]() | DS1307Z-T | DS1307Z-T MAX SOP | DS1307Z-T.pdf | |
![]() | 91013L1/C | 91013L1/C TI SOP | 91013L1/C.pdf | |
![]() | RC0201FR-07 33R | RC0201FR-07 33R YAGEO SMD or Through Hole | RC0201FR-07 33R.pdf | |
![]() | SS9148 | SS9148 ORIGINAL DIP | SS9148.pdf | |
![]() | 5MFP7-R | 5MFP7-R BEL SMD or Through Hole | 5MFP7-R.pdf | |
![]() | RJK4512DPE | RJK4512DPE RENESAS TO-263 | RJK4512DPE.pdf | |
![]() | K2764 | K2764 TOSHIBA TO-3PF | K2764.pdf | |
![]() | EN11414 | EN11414 ORIGINAL DIP | EN11414.pdf |