창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT56F50B2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT56F50B2,50L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 28A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT56F50B2 | |
| 관련 링크 | APT56F, APT56F50B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 744873680 | Shielded 2 Coil Inductor Array 272µH Inductance - Connected in Series 68µH Inductance - Connected in Parallel 180 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.66A Nonstandard | 744873680.pdf | |
![]() | GAL6001 30P | GAL6001 30P LATTICE DIP | GAL6001 30P.pdf | |
![]() | 75RD | 75RD ORIGINAL BGA | 75RD.pdf | |
![]() | SCN68681C1N40E | SCN68681C1N40E SIG PDIP | SCN68681C1N40E.pdf | |
![]() | XC5202 6PQ100C | XC5202 6PQ100C XILINX SMD or Through Hole | XC5202 6PQ100C.pdf | |
![]() | MURD312T4G | MURD312T4G ON TO-252 | MURD312T4G.pdf | |
![]() | GTLP6C816A | GTLP6C816A FAIRCHILD TSSOP | GTLP6C816A.pdf | |
![]() | LA30QS1500-128IL | LA30QS1500-128IL Littelfuse SMD or Through Hole | LA30QS1500-128IL.pdf | |
![]() | MAX3045BEUE+T | MAX3045BEUE+T MAXIM TSSOP | MAX3045BEUE+T.pdf | |
![]() | 35535 | 35535 ORIGINAL SMD or Through Hole | 35535.pdf | |
![]() | IRF630FP | IRF630FP ST TO-220F | IRF630FP .pdf | |
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