창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT53F80J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT53F80J Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 43A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 570nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT53F80J | |
| 관련 링크 | APT53, APT53F80J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CK05BX-823K-50V | CK05BX-823K-50V LCC SMD or Through Hole | CK05BX-823K-50V.pdf | |
![]() | K9LBG08U0D-IIB0 | K9LBG08U0D-IIB0 samsung 52ULGA | K9LBG08U0D-IIB0.pdf | |
![]() | MAX232IDR | MAX232IDR TI SOP16 | MAX232IDR.pdf | |
![]() | ADC084S021CIMMX/NOPB | ADC084S021CIMMX/NOPB NS MSOP | ADC084S021CIMMX/NOPB.pdf | |
![]() | 4308R104810/131 | 4308R104810/131 Bourns SMD or Through Hole | 4308R104810/131.pdf | |
![]() | 58L128L36PI-7.5 | 58L128L36PI-7.5 MT SMD or Through Hole | 58L128L36PI-7.5.pdf | |
![]() | BAJ6DD0T | BAJ6DD0T ROHM TO-220F | BAJ6DD0T.pdf | |
![]() | EXO55G1-2C | EXO55G1-2C CTS SMD or Through Hole | EXO55G1-2C.pdf | |
![]() | FDS9858 | FDS9858 FDS SOP8 | FDS9858.pdf | |
![]() | GRM36C0G820J50S641 | GRM36C0G820J50S641 MURATA SMD or Through Hole | GRM36C0G820J50S641.pdf | |
![]() | L15ESD12VE2 | L15ESD12VE2 LITEON SMD or Through Hole | L15ESD12VE2.pdf |